Раздел 8. Промышленное производство, материалы и транспорт


8.73 Высокотеплопроводный керамический материал "Алнит" на основе нитрида алюминия

Изделия, изготовленные из высокотеплопроводного керамического материала «Алнит» на основе нитрида алюминия

Реквизиты организации-разработчика, контактное лицо

ГО «НПЦ НАН Беларуси по материаловедению», Лаборатория тугоплавкой керамики и наноматериалов
220072, г. Минск, ул. П.Бровки, 19

Урбанович В.С.
Тел.: +375 (17) 284-12-55; e-mail: urban@physics.by; urban@ifttp.bas-net.by

Аннотация проекта

Высокотеплопроводный керамический материал «Алнит» на основе нитрида алюминия.
Материал может быть использован в качестве подложек гибридных интегральных микросхем, в качестве держателя СВЧ транзисторов взамен высокотоксичной керамики на основе окиси бериллия и для изготовления оснований резисторов. Способ его получения высокопроизводителен и исключает необходимость использования связующих, а также добавок, активирующих процесс спекания. Это обеспечивает высокую плотность и теплопроводность керамики на основе нитрида алюминия, в 4-6 раз выше, чем у известных материалов из оксида алюминия. В отличие от оксида бериллия он нетоксичен, обладает низкой стоимостью. Способ получения материала защищен авторскими свидетельствами и патентами.

Описание проекта

Материал может быть изготовлен в виде пластин диаметром 10-26 мм и толщиной 1-5 мм и имеет следующие характеристики:
Теплопроводность, Вт / (м.К) - 185
Диэлектрическая проницаемость - 8-12
Уд. электр. сопротивление, Ом.см - 1013
Плотность, г / см3 - 3.25
Микротвердость, ГПа - 16.5-18
Твердость по Виккерсу, ГПа - 14.

Тип технологии

Технические и экономические преимущества

Способ его получения высокопроизводителен и исключает необходимость использования связующих и добавок, активирующих процесс спекания. Это обеспечивает высокую плотность и теплопроводность керамики на основе нитрида алюминия.

Инновационные аспекты предложения

Где была представлена технология

Германия 1998, Ганновер-2005 и др.

Ключевые слова

Спекание под высоким давлением, нитрид алюминия, тугоплавкие керамические материалы.

Текущая стадия развития

Статус прав интеллектуальной собственности

Область применения технологии

Материал может быть использован в качестве подложек гибридных интегральных микросхем, в качестве держателя СВЧ транзисторов и оснований резисторов.

Классификатор Европейской сети трансфера технологий IRC

Предпочитаемые регионы

Практический опыт

Практическое использование отдельных образцов.

Влияние на окружающую среду

Не оказывает.

Предлагаемые формы сотрудничества

Условия и ограничения при передаче технологии

Отдельное соглашение по know-how.

Поддержка, предоставляемая при передаче технологии