Раздел 8. Промышленное производство, материалы и транспорт
8.73 Высокотеплопроводный керамический материал "Алнит" на основе нитрида алюминия
Реквизиты организации-разработчика, контактное лицо
ГО «НПЦ НАН Беларуси по материаловедению», Лаборатория тугоплавкой керамики и наноматериалов
220072, г. Минск, ул. П.Бровки, 19
Аннотация проекта
Высокотеплопроводный керамический материал «Алнит» на основе нитрида алюминия.
Материал может быть использован в качестве подложек гибридных интегральных микросхем, в качестве держателя СВЧ транзисторов взамен высокотоксичной керамики на основе окиси бериллия и для изготовления оснований резисторов. Способ его получения высокопроизводителен и исключает необходимость использования связующих, а также добавок, активирующих процесс спекания. Это обеспечивает высокую плотность и теплопроводность керамики на основе нитрида алюминия, в 4-6 раз выше, чем у известных материалов из оксида алюминия. В отличие от оксида бериллия он нетоксичен, обладает низкой стоимостью. Способ получения материала защищен авторскими свидетельствами и патентами.
Описание проекта
Материал может быть изготовлен в виде пластин диаметром 10-26 мм и толщиной 1-5 мм и имеет следующие характеристики:
Теплопроводность, Вт / (м.К) - 185
Диэлектрическая проницаемость - 8-12
Уд. электр. сопротивление, Ом.см - 1013
Плотность, г / см3 - 3.25
Микротвердость, ГПа - 16.5-18
Твердость по Виккерсу, ГПа - 14.
Тип технологии
Технические и экономические преимущества
Способ его получения высокопроизводителен и исключает необходимость использования связующих и добавок, активирующих процесс спекания. Это обеспечивает высокую плотность и теплопроводность керамики на основе нитрида алюминия.
Инновационные аспекты предложения
—
Где была представлена технология
Германия 1998, Ганновер-2005 и др.
Ключевые слова
Спекание под высоким давлением, нитрид алюминия, тугоплавкие керамические материалы.
Текущая стадия развития
Статус прав интеллектуальной собственности
Область применения технологии
Материал может быть использован в качестве подложек гибридных интегральных микросхем, в качестве держателя СВЧ транзисторов и оснований резисторов.
Классификатор Европейской сети трансфера технологий IRC
Предпочитаемые регионы
Практический опыт
Практическое использование отдельных образцов.
Влияние на окружающую среду
Не оказывает.
Предлагаемые формы сотрудничества
Условия и ограничения при передаче технологии
Отдельное соглашение по know-how.
Поддержка, предоставляемая при передаче технологии