第五章 电子，信息技术和电信行业

5.37发展的高辐射功率高速半导体器件的技术方法

项目负责单位、联系人

国家联合企业“白俄罗斯国家科学原材料监察中心”
220072, 明斯克, 博罗夫卡大街, 19

项目简介

开发的物质基础超越了高功率半导体器件，其中包括高功率硅二极管，双极晶体管，绝缘栅技术辐射的实用方法。高效率应用辐射技术，以改善双极型器件的性能，代替黄金或白金运用，降低成本，提高和改善产品的产量。在白俄罗斯共和国电子工业辐射技术上的使用方法。

项目描述

主要是半导体仪器的问题，以提高质量和半导体器件的优良品率，降低成本，并确保高速度的竞争力。在这个问题可以使用半导体器件穿透辐射生产技术的方法为基础，解决了许多问题。因此，在与半导体P晶体丁基过渡，而不是化学杂质的黄金或是铂穿透辐射（快电子，γ射线）而是严格引进某些类型的辐射剂量，以至于对设备的缺陷性能大幅改善。

强大的二极管，与绝缘栅（БТИЗ）双极晶体管被广泛用于各种工业和家用设备（电源开关设备，电源供应器，汽车电子等领域）需要改善他们的工作性能，并尽量减少电源开关的损失。

在动态的依赖关系和高功率二极管p静态参数的丁基结构的电子能量密度与能量E = 4兆电子伏特。这些依赖于监管功率二极管辐射技术参数的方法。尤其是高功率硅二极管的表现有所改善13 ÷ 15倍，同时保持在静态参数的规范。

技术类型

• 流程

经济技术优势

提高半导体设备的性能之前，取代了他们对黄金或白金引入杂质，形成复合中心，以对少数载流子的寿命缩小。但是，他们的这种吸除晶格的技术与方法是这些有关杂质硅体不均匀分布的重大缺陷。这减少了设备的重复性特点，增加了传播速度，尤其是对大面积p二极管功率真正运用上。

• 他们容许辐射缺陷，这是复合中心浓度的精确剂量;
• 安装高度统一的滑行道以上的半导体结构，最终提高了该领域的收益率;
• 许多种类的半导体结构引入浓度相对彼此可以改变额外热处理，从而实现了动态和静态参数需要组合。

项目创新点

高功率高速半导体器件的辐射方法可用于电子公司使用的技术。按协议提供资金。

推介该技术的领域

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关键词

辐射技术，功能强大的高速半导体器件，电子照射

项目目前所处阶段

• 有若干试验成果

知识产权资格

• 已获专利
• Точные сведения о патентованных правах:
  Патент РБ № 11307. Способ изготовления быстродействующих высоковольтных диодов / Коршунов Ф.П., Марченко И.Г., Жданович Н.Е., Кульгачев В.И. Заявка № а20070642 от 28 мая 2007 г.

技术应用领域

高功率高速半导体器件辐射方法可用于电子公司使用的技术

IRC欧洲创新驿站分类信息

• 电子，信息技术和电信

技术适用地区

• 欧洲
• 亚洲

实践经验

超过30年的辐射技术方法，在实验室成功地开发辐射影响，测量设备和高素质的科研人员。

对周围环境的影响

对环境无害

合作形式

• 签订R&D合同

转让技术的限制和条件

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转让技术时提供的支持

• 技术文件