Гетероструктуры
Описание предложения
На основе гетероструктур A2B6/A3N, выращенных в MBE реакторах, разработаны и созданы лазерные микрочип-конвертеры на область спектра 500 – 560 нм.[br][/br]Совместно с Физико-техническим институтом имени А.Ф. Иоффе РАН (г. Санкт-Петербург) разработана технология роста гетероструктур A3N (AlInGaN) в MBE реакторах и созданы на их основе самые низкопороговые в настоящее время лазеры с оптической накачкой и светодиоды на дальнюю УФ область спектра (260 – 340 нм), перспективные для систем УФ [br][/br]очистки и дезинфекции воды и воздуха, фототерапии, идентификации банкнот и др.[br][/br][url=http://ictt.by/Docs/tp/misc/InstPhysics/04_InstPhysics.pdf]Презентация1[/url][br][/br][url=http://ictt.by/Docs/tp/misc/InstPhysics/04_InstPhysics.pdf]Презентация2[/url]
Тип технологии
Процесс
Материал
Инновационные аспекты предложения
новый процесс, новые материалы
Ключевые слова
лазерны, микрочип-конвертеры, технология роста, гетероструктур, A3N (AlInGaN), MBE реакторах и лазеры с оптической накачкой, светодиоды, УФ очистки, дезинфекции воды, воздуха, фототерапии, идентификации банкнот,
Текущая стадия развития
Экспериментальный образец
Имеются результаты экспериментальных исследований
Находится в эксплуатации/производстве
Статус прав интеллектуальной собственности
Секретное know-how
Область применения технологии
УФ очистка и дезинфекция воды и воздуха, фототерапия, идентификация банкнот
Классификатор Европейской сети трансфера технологий EEN
Окружающая среда
Здравоохранение
Материалы
Классификатор Сети американского коммерческого центра трансфера технологий yet2.com
Биологические науки
Экология и защита окружающей среды
Материалы
Оптика
Физика
Предпочитаемые регионы
Северная Америка
Южная Америка
Европа
Азия
Африка
Австралия
Влияние на окружающую среду
нет
Предлагаемые формы сотрудничества
Договор НИОК(Т)Р
Лицензирование
Продажа
Условия и ограничения при передаче технологии
нет
Поддержка, предоставляемая при передаче технологии
Техническая документация
Услуги персонала
|