Белорусские
Следующее >>
(TO 2253)  Гетероструктуры - 19 февраля 2019
На основе гетероструктур A2B6/A3N, выращенных в MBE реакторах, разработаны и созданы лазерные микрочип-конвертеры на область спектра 500 – 560 нм. Совместно с Физико-техническим институтом имени А.Ф. Иоффе РАН (г. Санкт-Петербург) разработана технология роста гетероструктур A3N (AlInGaN) в MBE реакторах и созданы на их основе самые низкопороговые в настоящее время лазеры с оптической накачкой и с...  подробнее...