Материалы для формирования тонкопленочных покрытий для кристаллов приборов. Технология формирования покрытий на пластинах кремния
Раздел ЗАЩИТНЫЕ ПОКРЫТИЯ
Отрасль промышленности Материалы для электроники и радиотехники
Технология и оборудование для электронного и радиотехнического производства
Проектирование и конструирование электронных приборов и радиоэлектронной аппаратуры
Твердотельные приборы
Программа Новые материалы и технологии
Область применения Для кристаллов приборов повышенной термостойкости (диодов Шотки серии SB).
Описание Разработанная технология планарной металлизации кристаллов, устойчивых к повышенным температурам сборки и эксплуатации приборов — диодов Шоттки серии SB отличается достижением приемлемой адгезии плёнок — до 30 МПа, а также пониженным уровнем остаточных механических напряжений, определяющих стабильность плёнок в условиях эксплуатации, в том числе при термоциклировании, а также надёжность приборов.
Проведенные испытания, кристаллов полупроводниковых приборов серии SB показали, что кристаллы приборов выдерживают в отличие от ранее изготавливаемых кристаллов температуру эксплуатации до 150 °С, что соответствует показателям для лучших зарубежных аналогов.
Научно-технический уровень Превосходит технологию получения тонкоплёночных покрытий на кремнии по значению предельной температуры эксплуатации. Отечественных производителей приборов аналогичного класса не имеется. Соответствует уровню технологии производства зарубежных аналогов — кристаллов диодов Шоотки серии SB типа I0CTQI50,10CTQ150S и др.
Степень готовности Технология внедрена в производство.
Ожидаемый результат Увеличение срока эксплуатации изделий.
Разработка соответствует современным экологическим требованиям и её широкое использование не приведет к ухудшению экологической обстановки на предприятии.
Форма реализации Требуемый объем инвестиций будет определен после уточнения номенклатуры приборов, в которых предполагается использование разработанных наноструктурных материалов тонкоплёночных покрытий и технологии их формирования.
Организация разработчик
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники (БГУИР)
Адрес: 22013, г. Минск, ул. П. Бровки, 6
Тел.: (+375 17) 292-04-51, 239-88-95
Факс: (+375 17) 231-09-14
E-mail: kanc@gw.bsuir.unibel.by
WWW: http://www.bsuir.unibel.by
Директор: Батура Михаил Павлович

Организация разработчик
 
УП «Завод «Транзистор»
Адрес: 220108, г. Минск, ул. Корженевского, 16
Тел.: (+ 375 17) 277-29-22
Факс: (+375 17) 278-29-17
E-mail: office@transistor.com.by
WWW: www.integral.minsk.by/
Директор: Ануфриев Леонид Петрович
 

 

Разработка сайта: Adashkevich@tut.by © Государственный комитет по науке и технологиям
Республики Беларусь, 2007 г.