Раздел
|
ЛАЗЕРНЫЕ ТЕХНОЛОГИИ
|
Отрасль промышленности
|
Технология и оборудование для электронного и радиотехнического производства
|
Программа
|
ОНТП
|
Область применения
|
Прецизионная дальнометрия, экология, медицина, спектроскопия, фотохимия. Для использования в системах дальнометрии, спектроскопии и др.
|
Описание
|
Диодно накачиваемые импульсные микрочип-лазеры с внутрирезонаторным ВКР-преобразованием представляют собой миниатюрные (излучатель в корпусе длиной не более 1 см) полностью твердотельные лазеры, генерирующие с высокой частотой следования короткие световые импульсы (длительность - менее 10-9 с). На выходе таких лазеров могут устанавливаться дополнительные нелинейные элементы для получения излучения на ряде частот в области 300—600 нм. Накачка лазера осуществляется стандартным диодным лазером с выходной мощностью до 1 Вт. Микро-чип-лазер в стандартном исполнении: • длины волны — 1,06 и 1,18 мкм; • пиковая выходная мощность до 25 кВт, • длительность импульсов 200 пс; • частота следования импульсов 5—10 кГц.
|
Научно-технический уровень
|
От стандартных микрочип-лазеров предлагаемая разработка отличается короткой длительностью импульсов, высокой пиковой выходной мощностью при малых мощностях накачки, возможностью генерации на двух длинах волн.
|
Степень готовности
|
Имеется лабораторный образец.
|
Ожидаемый результат
|
Расширение возможностей в разработке и производстве лазерных приборов и лазерного оборудования для различных отраслей.
|
Форма реализации
|
Лицензионное соглашение (имеются национальный и международный патенты), разработка и создание макетного образца, совместное освоение в производстве и серийный выпуск. Лазерная и ВКР-среды могут выбираться по желанию заказчика.
|